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金属栅电极等效功函数调节方法 专利
专利号: CN201310331607.3, 申请日期: 2018-04-13, 公开日期: 2015-02-11
作者:  杨红;  罗维春;  闫江;  王文武
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/03/19
金属栅电极等效功函数调节方法 专利
专利号: US9831089, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2015-02-05
作者:  王文武;  杨红;  罗维春;  闫江
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一种制作晶硅高效太阳能电池的方法 专利
专利号: CN200910083501.X, 申请日期: 2012-08-22, 公开日期: 2010-11-10
作者:  贾锐;  朱晨昕;  陈晨;  李维龙;  李昊峰
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2013/11/06
Ni全硅化金属栅功函数调节技术研究 期刊论文
物理学报, 2011
作者:  周华杰
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半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2011-07-20,
作者:  梁擎擎;  朱慧珑;  钟汇才
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电阻转变存储器及其制备方法 专利
申请日期: 2011-06-30, 公开日期: 2012-11-20
作者:  谢常青;  刘璟;  刘明;  霍宗亮
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2012/11/20
晶体管及其制造方法 专利
申请日期: 2010-12-29,
作者:  梁擎擎;  朱慧珑;  钟汇才
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2016/09/18
基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 专利
专利号: CN200710179354.7, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2009-06-17
作者:  赵超荣;  刘梦新;  韩郑生;  刘刚
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2010/11/26
用于调节PMOS器件的金属栅功函数的方法 专利
申请日期: 2010-06-28,
作者:  徐秋霞;  许高博
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一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法 专利
专利号: CN101740369A, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16
作者:  王文武;  陈世杰
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