| 电阻转变存储器及其制备方法 | |
| 谢常青; 刘璟; 刘明; 霍宗亮 | |
| 2011-06-30 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及微电子学领域，公开了一种非易失性存储器件的单元结构及其制备方法。所述非易失性存储器件的单元结构包括：1、下电极；2、嵌入纳米碳管的阻变功能层材料；3、上电极。所述非易失性存储器件具有很好的进一步变比能力，同时通过控制阻变功能层中纳米碳管的长度及位置可以有效调节器件的操作电压和阻值状态。本发明指出的非易失性存储器件，其制造工艺简单，成本低，上述优势都有利于本发明的广泛推广和应用。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/10399]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢常青,刘璟,刘明,等. 电阻转变存储器及其制备方法. 2011-06-30. |
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