Ni全硅化金属栅功函数调节技术研究

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	Ni全硅化金属栅功函数调节技术研究
	周华杰
刊名	物理学报
	2011-10-13
英文摘要	本文研究了Ga和Yb杂质调节Ni全硅化金属栅电极功函数的调节能力。通过制备栅内不同掺杂条件的Ni全硅化金属栅电容并分析其C-V和Vfb-EOT特性发现，Ga和Yb较常规的杂质而言具有更好的栅功函数调节能力，能够分别将Ni全硅化金属栅电极功函数调节到价带顶和导带底附近，满足高性能体硅平面互补金属氧化物半导体（CMOS）器件对栅电极功函数的要求。同时根据电偶极子（Dipole）理论分析了Ga和Yb具有较强调节能力的原因。由于Ga和Yb在栅电极/栅介质附近生成高极性的Ga-O和Yb-O键，形成具有较大电偶极矩（μ）的电偶极子，而栅功函数调节能力正比于电偶极子的电偶极矩，因此Ga和Yb具有较大的栅功函数调节能力。另外，研究发现栅内掺入Ga或Yb杂质后的Ni全硅化金属栅电容的电容值变大、栅极泄漏电流反而变小，通过对C-V特性和栅极泄漏电流特性进行分析，对这一现象进行了解释。
公开日期	2012-11-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/9367]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	周华杰. Ni全硅化金属栅功函数调节技术研究[J]. 物理学报,2011.
APA	周华杰.(2011).Ni全硅化金属栅功函数调节技术研究.物理学报.
MLA	周华杰."Ni全硅化金属栅功函数调节技术研究".物理学报 (2011).