一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法

	一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法
	王文武; 陈世杰
	2010-06-16
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN101740369A
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化物薄膜转变为金属性金属氮化物薄膜。利用本发明，可以有效地调节某些金属氮化物薄膜的原子组分，进而改性该薄膜的物理及电学特性，这使得利用化学合成方法制备金属氮化物栅电极的应用成为可能。
公开日期	2010-06-16
申请日期	2008-11-19
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7450]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王文武,陈世杰. 一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法. CN101740369A. 2010-06-16.