| 用于调节PMOS器件的金属栅功函数的方法 | |
| 徐秋霞; 许高博 | |
| 2010-06-28 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种用于PMOS器件的金属栅功函数的调节方法，首先利用物理汽相淀积方法，在高K介质上面淀积一层金属氮化物膜或金属膜，作为金属栅电极，然后采用离子注入方法往金属栅电极中注入Al、Pt、Ru、Ga或Ir等元素，通过高温热退火将掺杂金属离子驱进到金属栅电极与高K栅介质的界面上形成堆积或者通过界面反应生成偶极子，达到调节金属栅有效功函数的目的。此方法具有普适性，工艺简单方便，调节金属栅功函数的能力强，与CMOS工艺兼容性很好。 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15922]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,许高博. 用于调节PMOS器件的金属栅功函数的方法. 2010-06-28. |
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