基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计

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	基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计
	赵超荣; 刘梦新; 韩郑生; 刘刚
	2010-12-08
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710179354.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种基于SOI技术的可重复利用PMOS辐射剂量计，包括背栅电极、多晶硅化物层、半导体衬底、隐埋氧化层、顶层硅膜、体接触区、源区、漏区、源电极、漏电极、正栅氧化层、正栅多晶硅层和正栅电极。本发明将剂量计制作于SOI衬底之上，具有两种测量不同剂量率的电极探头；采用不同方式的正、背栅调栅注入以调节探头测量范围；利用与顶层硅膜同型的重掺杂区域形成与源区短接的体接触；源/体、漏/体以及正、背栅与各自电极间利用多晶硅化物互联；正栅采用多根栅条叉指形式并联以增大探头敏感区域；剂量计退火过程控制及偏置条件、退火温度和时间调节；可调整量程的堆叠剂量计测量电路的方法及结构。
公开日期	2009-06-17
申请日期	2007-12-12
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7670]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵超荣,刘梦新,韩郑生,等. 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计. CN200710179354.7. 2010-12-08.