| 半导体器件及其制造方法 | |
| 梁擎擎; 朱慧珑; 钟汇才 | |
| 2011-07-20 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法。根据本发明实施例的半导体器件可以包括：鳍有源区，该鳍有源区设置在绝缘层上；设置在鳍有源区顶部的阈值电压调节层，该阈值电压调节层用于调节所述半导体器件的阈值电压；栅极叠层，该栅极叠层设置在阈值电压调节层上、鳍有源区的侧壁上以及绝缘层上并且包括栅极电介质和形成在栅极电介质上的栅电极；以及，分别形成在栅极叠层两侧、鳍有源区中的源区和漏区。根据本发明的半导体器件包括阈值电压调节层，其可以对半导体器件的阈值电压进行调节。这提供了一种能够调节包括鳍有源区的半导体器件的阈值电压的简便的方式。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16762]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁擎擎,朱慧珑,钟汇才. 半导体器件及其制造方法. 2011-07-20. |
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