一种制作晶硅高效太阳能电池的方法

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	一种制作晶硅高效太阳能电池的方法
	贾锐; 朱晨昕; 陈晨; 李维龙; 李昊峰; 张培文; 刘明; 刘新宇; 叶甜春
	2012-08-22
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910083501.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制作晶硅高效太阳能电池的方法，包括：在晶硅基片表面制备绒面结构；采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构；利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构；利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜；丝网印刷完成正、负电极的制作；合金化，最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。本发明利用由大生产线上的工艺手段制备出的PN结晶硅太阳能电池，在其表面制备硅纳米晶，通过硅纳米晶的能带调节作用，使晶硅电池能更有效利用太阳光波长，进而提高晶硅电池的效率。本发明与现有成熟的大规模生产技术相兼容，具有生产工艺简单，易于产业化等特点，可以有效地降低成本，获得高效晶硅太阳能电池。
公开日期	2010-11-10
申请日期	2009-05-06
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/11645]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	贾锐,朱晨昕,陈晨,等. 一种制作晶硅高效太阳能电池的方法. CN200910083501.X. 2012-08-22.