|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构 专利
专利号: CN200810103253.6, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2009-10-07
作者: 金智 ; 刘新宇
  收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| GSMBE生长的带有渐变基区的InP/InGaAs/InP DHBT 会议论文
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2010
滕腾; 艾立鹍; 孙浩; 徐安怀; 朱福英; 齐鸣
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2012/01/18 |
| 新型结构HBT设计与材料生长研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2008
艾立鹍
收藏 | 浏览/下载：96/0 | 提交时间：2012/03/06
|
| 在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 846
作者: 邢启江; 徐万劲; 武作兵
收藏 | 浏览/下载：1038/85 | 提交时间：2007/06/15
|
| InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成 期刊论文
半导体学报, 1989, 期号: 03
李维旦; 富小妹; 潘慧珍
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| 掺Mn基区InGaAsP/InP双集电区异质光敏晶体管 期刊论文
半导体学报, 1988, 期号: 01
李维旦; 富小妹; 潘慧珍
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究 期刊论文
电子科学学刊, 1987, 期号: 05
张桂成; 沈彭年
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响 期刊论文
发光学报, 1987, 期号: 03
张桂成; 李允平
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究 期刊论文
发光学报, 1987, 期号: 01
张桂成; 吴冠群
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究 期刊论文
发光与显示, 1982, 期号: 02
张桂成; 水海龙
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/03/29 |
