npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构

	npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构
	金智; 刘新宇
	2010-08-25
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810103253.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管 (DHBT)外延层结构，该DHBT结构包括依次相邻接的发射极、基极和集电极，所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型 InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层和n型集电极接触层。利用本发明，可避免载流子在超晶格结构中隧穿对运动速度的降低，能提高DHBT的频率特性，消除了InGaAs基极和InP集电极所形成的导带尖峰。
公开日期	2009-10-07
申请日期	2008-04-02
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7566]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	金智,刘新宇. npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构. CN200810103253.6. 2010-08-25.