GSMBE生长的带有渐变基区的InP/InGaAs/InP DHBT

	GSMBE生长的带有渐变基区的InP/InGaAs/InP DHBT
	滕腾 ; 艾立鹍 ; 孙浩 ; 徐安怀 ; 朱福英 ; 齐鸣
	2010
会议名称	第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期	2010
中文摘要	利用气态源分子束外延生长了带有两种带有不同渐变摹区结构的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管。组分渐变基区结构中,Ga组分从集电区一端的47％逐渐增加到发射区一端的55％。掺杂渐变基区结构中,Bc的掺杂浓度从集电区一端的8.8×1018cm-3逐渐升高到发射区一端的2.2×1019cm-3。测试表征了不同组分的InGaAS、InGaAsP材料,获得了质量良好的InP/InGaAs/InPDHBT结构材料。制造出发射极面积100×100μm2的DHBT器件。开启电压分别为0.2V和0.25V,击穿
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390450.aspx
会议录	第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56289]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	滕腾,艾立鹍,孙浩,等. GSMBE生长的带有渐变基区的InP/InGaAs/InP DHBT[C]. 见:第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2010.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390450.aspx.