InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究

	InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究
	张桂成 ; 沈彭年
刊名	电子科学学刊
	1987
期号	05
ISSN号	1009-5896
中文摘要	用红外电视选行扫描仪观察由不同P型掺杂剂的外延片制成的InGaAsP/InP双异质结发光管的暗缺陷,并研究了它的来源。比较了P型掺杂剂的种类和掺杂浓度对暗结构的影响。结果表明,掺Mg和掺In-Zn合金与重掺Zn器件相比,暗结构比例明显降低。Zn可能是暗缺陷的重要来源之一。器件在70℃,85℃条件下老化2000小时后,老化前无暗缺陷的某些器件亦有暗结构产生,但其生长率很慢。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103996]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	张桂成,沈彭年. InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究[J]. 电子科学学刊,1987(05).
APA	张桂成,&沈彭年.(1987).InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究.电子科学学刊(05).
MLA	张桂成,et al."InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究".电子科学学刊 .05(1987).