GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究

	GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究
	张桂成 ; 吴冠群
刊名	发光学报
	1987
期号	01
ISSN号	1000-7032
中文摘要	本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结发光管的退化特性。有快、慢二种退化类型。器件的慢退化是由于有源区有暗缺陷(DSD)产生和长大,引起光功率下降。文中研究了老化过程中I-V特性和I-P特性与EL图象的变化规律,并与相同结构的InP/InGaAsP双异质结发光管的退化特性进行了比较,结果表明:它们有着不同的退化机理。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103909]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	张桂成,吴冠群. GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究[J]. 发光学报,1987(01).
APA	张桂成,&吴冠群.(1987).GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究.发光学报(01).
MLA	张桂成,et al."GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究".发光学报 .01(1987).