InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成
李维旦 ; 富小妹 ; 潘慧珍
刊名半导体学报
1989
期号03
ISSN号0253-4177
中文摘要本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作了一种采用这种HBT为电子器件的光电子集成电路(OEIC).
语种中文
公开日期2012-03-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104001]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
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GB/T 7714
李维旦,富小妹,潘慧珍. InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成[J]. 半导体学报,1989(03).
APA 李维旦,富小妹,&潘慧珍.(1989).InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成.半导体学报(03).
MLA 李维旦,et al."InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成".半导体学报 .03(1989).
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