P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

	P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
	张桂成 ; 李允平
刊名	发光学报
	1987
期号	03
ISSN号	1000-7032
中文摘要	本文研究了限制层中掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响。结果表明限制层掺In-Zn合金或掺Mg的器件不易发生p-n结偏位,器件具有单一的长波长光谱峰,正常的I-V特性以及暗结构出现率低的特性,而限制层掺Zn当浓度≥1×10~(18)cm~(-3)时,外延片易发生p-n结偏位,导致器件的异常特性。并观察到在扩散结器件中,在85℃长时间老化过程中,有p-n位置移动现象发生。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104214]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	张桂成,李允平. P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响[J]. 发光学报,1987(03).
APA	张桂成,&李允平.(1987).P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响.发光学报(03).
MLA	张桂成,et al."P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响".发光学报 .03(1987).