掺Mn基区InGaAsP/InP双集电区异质光敏晶体管

	掺Mn基区InGaAsP/InP双集电区异质光敏晶体管
	李维旦 ; 富小妹 ; 潘慧珍
刊名	半导体学报
	1988
期号	01
ISSN号	0253-4177
中文摘要	为了用液相外延法制出高速、高增益异质光敏晶体管,采用了新型的双集电区结构,并且采用Mn作为p型掺杂剂,以代替常用的Zn或Cd制作p~+-n~-集电结.制出的台面型HPT的典型光增益为144;在 80 ps Gaussian光脉冲作用下,其输出脉冲上升时间为 400ps.半峰宽为1.2ns.
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104524]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	李维旦,富小妹,潘慧珍. 掺Mn基区InGaAsP/InP双集电区异质光敏晶体管[J]. 半导体学报,1988(01).
APA	李维旦,富小妹,&潘慧珍.(1988).掺Mn基区InGaAsP/InP双集电区异质光敏晶体管.半导体学报(01).
MLA	李维旦,et al."掺Mn基区InGaAsP/InP双集电区异质光敏晶体管".半导体学报 .01(1988).