InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究

	InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究
	张桂成 ; 水海龙
刊名	发光与显示
	1982
期号	02
ISSN号	1000-7032
中文摘要	在室温(15～35℃),大气气氛中研究了InGaAsP/InP双异质结发光二极管的退化特性。有二种慢退化类型,连续工作10~4小时后,InGaAsP/InP发光二极管的电学参数、光学参数(除原有暗结构的B型慢退化器件,老化初期光功率下降10～20％外)均无明显变化。用红外电视选行扫描仪观察了老化过程中发光区的EL图象。研究了该器件的退化特性与EL图象的变化规律,找出了它们的对应关系。用扩展缺陷模型解释了InGaAsP/InP双异质结发光管的退化机理。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103999]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	张桂成,水海龙. InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究[J]. 发光与显示,1982(02).
APA	张桂成,&水海龙.(1982).InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究.发光与显示(02).
MLA	张桂成,et al."InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究".发光与显示 .02(1982).