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| 半導体レーザ素子とその製造方法 专利
专利号: JP3084042B2, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-09-04
作者: 中西 千登勢; 瀧口 治久; 工藤 裕章; 菅原 聰
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| 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 专利
专利号: JP1999017272A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
作者: 幡 俊雄; 菅原 聰; 花岡 大介
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| 電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1998335749A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者: 幡 俊雄; 菅原 聰; 花岡 大介
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| 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利号: JP2810518B2, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-10-15
作者: 工藤 裕章; 瀧口 治久; 猪口 和彦; 中西 千登勢; 菅原 聰
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2806533B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-09-30
作者: 坂根 千登勢; 瀧口 治久; 工藤 裕章; 菅原 聰
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2755357B2, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-05-20
作者: 種谷 元隆; 工藤 裕章; 菅原 聰; 猪口 和彦; 中西 千登勢
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2554192B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13
作者: 瀧口 治久; 中津 弘志; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 坂根 千登勢
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1996213697A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20
作者: 坂根 千登勢; 瀧口 治久; 工藤 裕章; 菅原 聰
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2547459B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者: 滝口 治久; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 坂根 千登勢
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1995094824A, 申请日期: 1995-04-07, 公开日期: 1995-04-07
作者: 大林 健; 工藤 裕章; 猪口 和彦; 菅原 聰; 八木 久晴
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