| 半導体レーザ素子 | |
| 種谷 元隆; 工藤 裕章; 菅原 聰; 猪口 和彦; 中西 千登勢; 滝口 治久 | |
| 1998-03-06 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP2755357B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 ダブルヘテロ構造の半導体レーザ素子において,基板に垂直な方向の導波路屈折率の分布を,活性層およびクラッド層の半導体材料に固有の屈折率に依存することなく,自由に設計することを可能にし,基板に垂直な方向における光ビームの放射角を低減させ,真円に近いビームスポットを得る。 【構成】 基板11上に活性層13を第1クラッド層12および第2クラッド層14で挟んだダブルヘテロ構造が形成されている。活性層13は導波方向に層厚の3倍以上の振幅を有する正弦波状の周期的な凹凸構造を有する。活性層13近傍の屈折率を導波方向に平均化した平均屈折率navとクラッド層12および14の屈折率nclとは関係式(nav-ncl)/ncl≦2%を満足する。平均屈折率分布(C)は,基板に垂直な方向の近視野像を広げ,真円に近いビームスポットを与える。 |
| 公开日期 | 1998-05-20 |
| 申请日期 | 1991-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 種谷 元隆,工藤 裕章,菅原 聰,等. 半導体レーザ素子. JP2755357B2. 1998-03-06. |
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