QQ客服 官方微博 反馈留言

	半導体レーザ素子及びその製造方法
	滝口 治久; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 坂根 千登勢; 菅原 聰; 中津 弘志
	1996-08-08
著作权人	シャープ株式会社
专利号	JP2547459B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	半導体レーザ素子及びその製造方法
英文摘要	PURPOSE:To enable an active layer to be accurately controlled in width by a method wherein a mesa stripe-like structure provided with the side face of a {111} plane is grown in a groove formed on a substrate. CONSTITUTION:A GaAs current block layer 2 is formed on an N-type GaAs substrate 1a, and a groove 10a is formed through an MOCVD method on the current block layer 2 extending along a [011] direction. An N-type AlGaAs clad layer 3a, an AlGaAs active layer 4a, and a P-type AlGaAs clad layer 5a are continuously grown through an MOCVD method on the surface of the substrate 1a in the groove 10a. In succession, a triangular mesa stripe structure whose side face is a {111} B plane is formed on the groove 10a. At this point, the clad layer 3b, the active layer 4b, and the clad layer 5b are continuously grown even on the current blocking layer 2. Thereafter, a P-type AlGaAs buried layer 6 and a P-type GaAs contact layer 7 are successively grown, and an Au/Zn electrode 8 and an Au/Ge electrode 9 are built respectively.
公开日期	1996-10-23
申请日期	1990-01-31
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81387]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	滝口 治久,猪口 和彦,厚主 文弘,等. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2547459B2. 1996-08-08.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。