| 半導体レーザ素子 | |
| 坂根 千登勢; 瀧口 治久; 工藤 裕章; 菅原 聰 | |
| 1996-08-20 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP1996213697A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 ストライプ構造をもつ半導体レーザにおいて、ストライプを埋める成長膜をより平坦化する。 【解決手段】 ストライプ底面の第1の半導体化合物に比べて、ストライプ外の上面の第2の半導体化合物をAlを多く含む半導体化合物とすることで、ストライプを埋めるように第2の成長を行うときに、ストライプ外上面は、表面に形成される酸化膜の影響で、成長開始時の成長速度がストライプ底面に比べ遅くなる。その結果、ストライプを埋める成長膜がより平坦化される。 |
| 公开日期 | 1996-08-20 |
| 申请日期 | 1988-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76240]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坂根 千登勢,瀧口 治久,工藤 裕章,等. 半導体レーザ素子. JP1996213697A. 1996-08-20. |
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