| 半導体レーザ装置 | |
| 大林 健; 工藤 裕章; 猪口 和彦; 菅原 聰; 八木 久晴; 伊藤 茂稔 | |
| 1995-04-07 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP1995094824A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 酸化防止層の表面欠陥やオーバーエッチング等に起因する素子作製不良の発生確率を低減させて高性能な素子を歩留り良く作製する。 【構成】 第2クラッド層105と酸化防止層107の間に活性層104より禁制帯幅が大きく第2クラッド層105よりAlの混晶比が低いエッチング防止層106を設けたので、ストライプ状溝部112の形成のためにAlの混晶比の高い層を選択的にエッチングして第2クラッド層105を除去する工程において、酸化防止層107が部分的に表面欠陥やオーバーエッチング等が原因で除去されたとしても、露出するのはAl混晶比の低いエッチング防止層106であり、この層でエッチングは止まりエッチングストップ層108までエッチング液が達してエッチングが行われてしまうようなことはない。また、エッチング防止層106が露出しても酸化は比較的抑えられて、容易に第2回目の膜成長が行えて、素子特性や寿命への悪影響も低減される。 |
| 公开日期 | 1995-04-07 |
| 申请日期 | 1993-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87829]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大林 健,工藤 裕章,猪口 和彦,等. 半導体レーザ装置. JP1995094824A. 1995-04-07. |
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