×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
大连理工大学 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2014 [4]
2013 [4]
2012 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
专题:大连理工大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Improving the quality of GaN epilayer by preparing a novel patterned sapphire substrate
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2014, 卷号: 25, 页码: 267-272
作者:
Yang, Dechao
;
Liang, Hongwei
;
Qiu, Yu
;
Shen, Rensheng
;
Liu, Yang
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/09
Evolution of the crystallographic planes of cone-shaped patterned sapphire substrate treated by wet etching
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 295, 页码: 26-30
作者:
Yang, Dechao
;
Liang, Hongwei
;
Qiu, Yu
;
Shen, Rensheng
;
Liu, Yang
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/09
Patterned sapphire substrate
Wet etching
Crystallographic planes
Etching zones
Etching rate
Selective Growth of GaN on Slope Cone-shaped Patterned Sapphire Substrate
期刊论文
CHEMICAL RESEARCH IN CHINESE UNIVERSITIES, 2014, 卷号: 30, 页码: 556-559
作者:
Yang Dechao
;
Liang Hongwei
;
Qiu Yu
;
Li Pengchong
;
Liu Yang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/09
Patterned sapphire substrate
GaN
Selective growth
Crystallographic plane
Smooth surface morphology and low dislocation density of p-GaN using indium-assisted growth
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2014, 卷号: 116, 页码: 1561-1566
作者:
Zhang, Kexiong
;
Liang, Hongwei
;
Shen, Rensheng
;
Song, Shiwei
;
Wang, Dongsheng
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/09
Improved quality of GaN epilayer grown on porous SiC substrate by in situ H-2 pre-treatment
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2013, 卷号: 24, 页码: 3299-3302
作者:
Song, Shiwei
;
Shen, Rensheng
;
Liang, Hongwei
;
Liu, Yang
;
Xia, Xiaochuan
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Improvement of the quality of GaN epilayer by combining a SiNx interlayer and changed GaN growth mode
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2013, 卷号: 24, 页码: 2716-2720
作者:
Yang, Dechao
;
Liang, Hongwei
;
Qiu, Yu
;
Song, Shiwei
;
Liu, Yang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Improvement of quality and strain relaxation of GaN epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2013, 卷号: 24, 页码: 2923-2927
作者:
Song, Shiwei
;
Liu, Yang
;
Liang, Hongwei
;
Yang, Dechao
;
Zhang, Kexiong
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Stress State of GaN Epilayer Grown on Sapphire and 6H-SiC Substrates
期刊论文
JOURNAL OF TESTING AND EVALUATION, 2013, 卷号: 41, 页码: 798-803
作者:
Zhang, Kexiong
;
Liang, Hongwei
;
Song, Shiwei
;
Yang, Dechao
;
Shen, Rensheng
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/11
GaN
metalorganic chemical vapor deposition
stress state
dislocations
Dominant UV emission from p-MgZnO/n-GaN light emitting diodes
期刊论文
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2012, 卷号: 2, 页码: 38-44
作者:
Xia, Xiaochuan
;
Shen, Rensheng
;
Liu, Yuanda
;
Yang, Dechao
;
Song, Shiwei
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/13
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace