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上海微系统与信息技... [21]
内容类型
期刊论文 [21]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2001 [3]
1997 [2]
1996 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:上海微系统与信息技术研究所
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95
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Characterization of bonded silicon-on-aluminum-nitride wafers with RBS, TEM and HRXRD techniques
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 8, 页码: 1807-1810
Men, CL
;
Lin, CL
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
BEAM-ENHANCED DEPOSITION
ALN THIN-FILMS
离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜
期刊论文
半导体技术, 2006, 期号: 03
陶凯
;
俞跃辉
;
郑智宏
;
邹世昌
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/01/06
图形化PSOI
横向双扩散MOSFET
击穿电压
结构优化
电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性
期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 期号: 04
宋朝瑞
;
俞跃辉
;
邹世昌
;
张福民
;
王曦
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/01/06
多芯片组件
热设计
有限元法
SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延
期刊论文
半导体学报, 2001, 期号: 10
韩永召
;
李炳宗
;
茹国平
;
屈新萍
;
曹永峰
;
徐蓓蕾
;
蒋玉龙
;
王连卫
;
张荣耀
;
朱剑豪
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/29
氧分压对动态离子束辅助沉积合成的氧化钛膜的影响
期刊论文
功能材料与器件学报, 2001, 期号: 01
王向晖
;
张峰
;
李昌荣
;
郑志宏
;
陈莉芝
;
王惠民
;
柳襄怀
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/29
多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究
期刊论文
功能材料与器件学报, 2001, 期号: 04
刘卫丽
;
多新中
;
张苗
;
沈勤我
;
王连卫
;
林成鲁
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/29
K1 绝缘体上的硅
多孔硅
外延
氮离子注入金刚石薄膜的研究
期刊论文
中国科学E辑:技术科学, 1997, 期号: 03
辛火平
;
林成鲁
;
王建新
;
邹世昌
;
石晓红
;
林梓鑫
;
周祖尧
;
刘祖刚
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/29
一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离
期刊论文
半导体学报, 1997, 期号: 09
竺士场
;
张苗
;
林成鲁
;
黄宜平
;
吴东平
;
李金华
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/03/29
SIMOX结构退化的卢瑟福背散射研究
期刊论文
微细加工技术, 1996, 期号: 03
蒋美萍
;
李金华
;
林成鲁
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/29
K1 SIMOX
RBS分析
SOI结构
GRAZING-ANGLE RBS AND CHANNELING ANALYSIS OF BF2+ IMPLANTATION DAMAGE IN SILICON
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1994, 卷号: 142, 期号: 2, 页码: 365-370
LIN, CL
;
ZHOU, ZY
;
HEMMENT, PLF
;
LI, XQ
;
YANG, GQ
;
ZHU, WH
;
Zou, SC(邹世昌)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/25
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