多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究

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	多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究
	刘卫丽 ; 多新中 ; 张苗 ; 沈勤我 ; 王连卫 ; 林成鲁
刊名	功能材料与器件学报
	2001
期号	04
关键词	K1 绝缘体上的硅多孔硅外延
ISSN号	1007-4252
其他题名	T1 多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究
中文摘要	用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表明P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能,用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅,并且,在一定浓度的HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率,保证了上层硅厚度的均匀性。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105773]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘卫丽,多新中,张苗,等. 多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究[J]. 功能材料与器件学报,2001(04).
APA	刘卫丽,多新中,张苗,沈勤我,王连卫,&林成鲁.(2001).多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究.功能材料与器件学报(04).
MLA	刘卫丽,et al."多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究".功能材料与器件学报 .04(2001).