电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性

	电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性
	宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 邹世昌 ; 张福民 ; 王曦
刊名	功能材料与器件学报
	2003
期号	04
关键词	多芯片组件热设计有限元法
ISSN号	1007-4252
中文摘要	采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C薄膜的sp~3键含量高达87％,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49949]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	宋朝瑞,俞跃辉,邹世昌,等. 电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性[J]. 功能材料与器件学报,2003(04).
APA	宋朝瑞,俞跃辉,邹世昌,张福民,&王曦.(2003).电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性.功能材料与器件学报(04).
MLA	宋朝瑞,et al."电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性".功能材料与器件学报 .04(2003).