一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离

	一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离
	竺士场 ; 张苗 ; 林成鲁 ; 黄宜平 ; 吴东平 ; 李金华
刊名	半导体学报
	1997
期号	09
ISSN号	0253-4177
中文摘要	H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unibond－SOI材料，并用扩展电阻（SRP）、卢瑟福背散射（RBS／C）和剖面透射电子显微镜（XTEM）等初步分析了其结构和电学性质．
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105245]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	竺士场,张苗,林成鲁,等. 一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离[J]. 半导体学报,1997(09).
APA	竺士场,张苗,林成鲁,黄宜平,吴东平,&李金华.(1997).一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离.半导体学报(09).
MLA	竺士场,et al."一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离".半导体学报 .09(1997).