SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延

	SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延
	韩永召 ; 李炳宗 ; 茹国平 ; 屈新萍 ; 曹永峰 ; 徐蓓蕾 ; 蒋玉龙 ; 王连卫 ; 张荣耀 ; 朱剑豪
刊名	半导体学报
	2001
期号	10
ISSN号	0253-4177
中文摘要	报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104257]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	韩永召,李炳宗,茹国平,等. SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延[J]. 半导体学报,2001(10).
APA	韩永召.,李炳宗.,茹国平.,屈新萍.,曹永峰.,...&朱剑豪.(2001).SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延.半导体学报(10).
MLA	韩永召,et al."SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延".半导体学报 .10(2001).