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| MEMS封装技术及其可靠性 会议论文
中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会, 福建武夷山, 2006年10月22日
作者: 许建军 [1] 孔学东 [2] 师谦 [2]; 李斌 [3]
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| 低剂量率下双极晶体管的电离辐射效应 会议论文
中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会, 福建武夷山, 2006年10月22日
作者: 尹雪梅 [1]; 师谦 [2]; 何玉娟 [2]; 李斌 [3]; 刘远 [3]
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| 器件结构参数及工艺对ESD的影响 会议论文
2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会, 温州, 2005年10月01日
作者: 刘远 [1]; 恩云飞 [2]; 罗宏伟 [2]; 师谦 [2]; 李斌 [3]
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| MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究 会议论文
2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会, 温州, 2005年10月01日
作者: 何玉娟 [1]; 林丽 [1]; 李斌 [2]; 师谦 [3]; 罗宏伟 [3]
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| MEMS及微机械加速度计可靠性研究 会议论文
2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会, 温州, 2005年10月01日
作者: 许建军 [1]; 孔学东 [2]; 师谦 [2]; 李斌 [3]
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| MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究 会议论文
2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会, 温州, 2005年10月01日
作者: 林丽 [1]; 何玉娟 [1]; 李斌 [2]; 罗宏伟 [3]; 师谦 [3]
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| MOS器件的X射线辐照效应 会议论文
中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会, 重庆, 2004年10月1日
作者: 刘远 [1]; 李若瑜 [1]; 李斌 [1]; 恩云飞 [2]; 罗宏伟 [2]
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| 偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响 会议论文
中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会, 福建武夷山, 2006年10月22日
作者: 何玉娟 [1]; 师谦 [1]; 罗宏伟 [1]; 章晓文 [1]; 李斌 [2]
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| MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应 会议论文
第十二届全国可靠性物理学术讨论会, 四川都江堰, 2007年10月01日
作者: 尹雪梅 [1]; 恩云飞 [2]; 师谦 [2]; 李斌 [3]
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