MOS器件的X射线辐照效应 | |
刘远 [1]; 李若瑜 [1]; 李斌 [1]; 恩云飞 [2]; 罗宏伟 [2]; 师谦 [2] | |
会议名称 | 中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会 |
会议日期 | 2004年10月1日 |
会议地点 | 重庆 |
关键词 | MOS器件 X射线 辐照效应 阈值电压 漂移幅度 场效应器件 可靠性 |
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内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2122347 |
专题 | 华南理工大学 |
作者单位 | [1]华南理工大学应用物理系 [2]信息产业部电子第五研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘远 [1],李若瑜 [1],李斌 [1],等. MOS器件的X射线辐照效应[C]. 见:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会. 重庆. 2004年10月1日. |
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