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	MOS器件的X射线辐照效应
	刘远 [1]; 李若瑜 [1]; 李斌 [1]; 恩云飞 [2]; 罗宏伟 [2]; 师谦 [2]
会议名称	中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
会议日期	2004年10月1日
会议地点	重庆
关键词	MOS器件 X射线 辐照效应 阈值电压 漂移幅度 场效应器件 可靠性
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2122347
专题	华南理工大学
作者单位	[1]华南理工大学应用物理系 [2]信息产业部电子第五研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘远 [1],李若瑜 [1],李斌 [1],等. MOS器件的X射线辐照效应[C]. 见:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会. 重庆. 2004年10月1日.

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