| 偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响 | |
| 何玉娟 [1]; 师谦 [1]; 罗宏伟 [1]; 章晓文 [1]; 李斌 [2]; 刘远 [3] | |
| 会议名称 | 中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会 |
| 会议日期 | 2006年10月22日 |
| 会议地点 | 福建武夷山 |
| 关键词 | NMOS器件 总剂量辐射 辐射偏置 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2114587 |
| 专题 | 华南理工大学 |
| 作者单位 | [1]电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610 [2]华南理工大学微电子研究所,广州,510640 [3]电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610 华南理工大学微电子研究所,广州,510640 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何玉娟 [1],师谦 [1],罗宏伟 [1],等. 偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响[C]. 见:中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会. 福建武夷山. 2006年10月22日. |
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