QQ客服 官方微博 反馈留言

	器件结构参数及工艺对ESD的影响
	刘远 [1]; 恩云飞 [2]; 罗宏伟 [2]; 师谦 [2]; 李斌 [3]
会议名称	2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
会议日期	2005年10月01日
会议地点	温州
关键词	电子器件 器件结构 抗静电
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2116911
专题	华南理工大学
作者单位	[1]华南理工大学微电子研究所,广州,510640 信息产业部电子第五研究所,广州,510610 [2]信息产业部电子第五研究所,广州,510610 [3]华南理工大学微电子研究所,广州,510640
推荐引用方式 GB/T 7714	刘远 [1],恩云飞 [2],罗宏伟 [2],等. 器件结构参数及工艺对ESD的影响[C]. 见:2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会. 温州. 2005年10月01日.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。