| MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应 | |
| 尹雪梅 [1]; 恩云飞 [2]; 师谦 [2]; 李斌 [3] | |
| 会议名称 | 第十二届全国可靠性物理学术讨论会 |
| 会议日期 | 2007年10月01日 |
| 会议地点 | 四川都江堰 |
| 关键词 | MOS器件 电离辐射 辐射效应 总剂量退化 温度效应 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2101940 |
| 专题 | 华南理工大学 |
| 作者单位 | [1]华南理工大学微电子研究所 广州 510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州 510610 [2]电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州 510610 [3]华南理工大学微电子研究所 广州 5106402 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹雪梅 [1],恩云飞 [2],师谦 [2],等. MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应[C]. 见:第十二届全国可靠性物理学术讨论会. 四川都江堰. 2007年10月01日. |
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