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| PECVD法制备硅与碳化硅纳米线及其研究 学位论文
2015
作者: 潘树亮
  收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/02
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| PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响 期刊论文
无机材料学报, 2013, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 201-206
作者: 于方丽; 白宇; 秦毅; 岳冬; 罗才军
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/10
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| 一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法 专利
专利号: CN102810465, 申请日期: 2012-12-05,
作者: 周静涛 ; 李博; 申华军; 白云; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/06/20 |
| 纳米柱4H-SiC雪崩光电二极管及PECVD法生长氢化非晶碳化硅的光电特性研究 学位论文
2011, 2011
洪荣墩
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/02/14
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| 硅基垂直腔面光发射器件的研制 期刊论文
2010, 2010
姚永昭; 岳瑞峰; 刘理天; YAO Yongzhao; YUE Ruifeng; LIU Litian
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| PECVD法制备非晶碳化硅薄膜的研究 学位论文
2010
作者: 岳冬
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/18
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| PECVD制备a-SiC:H薄膜及激光退火研究 学位论文
2009, 2009
黄俊
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/02/14
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| 带电粒子束作用下碳纳米管结构转变的实验研究 学位论文
博士, 上海应用物理研究所: 中国科学院上海应用物理研究所, 2006
胡建刚
收藏 | 浏览/下载：72/0 | 提交时间：2012/04/11
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| PECVD SiC材料刻蚀技术 期刊论文
半导体学报, 2006
陈晟; 李志宏; 张国炳; 郭辉; 王煜; 田大宇
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/12
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| PECVDSiC薄膜激光退火实验研究 其他
2006-01-01
罗睿; 郭辉; 张海霞; 王煜; 李素兰; 张秀兰; 张国炳
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/11/12
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