| 题名 | PECVD法制备非晶碳化硅薄膜的研究 |
| 作者 | 岳冬 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 导师 | 金志浩 |
| 关键词 | 等离子体增强化学气相沉积碳化硅薄膜生长速度硅碳原子比 |
| 学位名称 | 工学硕士 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4811039 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岳冬. PECVD法制备非晶碳化硅薄膜的研究[D]. 2010. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论