一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法

	一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法
	周静涛; 李博; 申华军; 白云; 汤益丹; 刘焕明; 杨成樾
	2012-12-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN102810465
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明是关于一种SiC材料上生长SiO2钝化层的制备方法。本发明可应用于SIC JBS肖特基二极管的注入前钝化层与SiC JBS肖特基二极管的表面厚钝化层的制备，以及其他类似SiC器件的钝化工艺。该SiC JBS肖特基二极管包括正面p+注入掺杂、衬底和背面欧姆接触结构，所述的衬底为碳化硅衬底,所述的注入钝化层设置在衬底正面，该钝化层为SiO2层,所述SiO2层与所述的衬底接触。本发明采用PECVD进行SiO2的生长,采用多步退火的方式,进行SiO2层的致密,达到与热氧化相同的效果。
申请日期	2011-06-02
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/15396]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周静涛,李博,申华军,等. 一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法. CN102810465. 2012-12-05.