PECVD SiC材料刻蚀技术

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	PECVD SiC材料刻蚀技术; Etching Characteristics of PECVD SiC
	陈晟 ; 李志宏 ; 张国炳 ; 郭辉 ; 王煜 ; 田大宇
刊名	半导体学报
	2006
关键词	PECVD 碳化硅反应离子刻蚀电感耦合离子刻蚀氢含量功率
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.094
英文摘要	通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.; 北京市自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; z1; 381-384; 27
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/279130]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	陈晟,李志宏,张国炳,等. PECVD SiC材料刻蚀技术, Etching Characteristics of PECVD SiC[J]. 半导体学报,2006.
APA	陈晟,李志宏,张国炳,郭辉,王煜,&田大宇.(2006).PECVD SiC材料刻蚀技术.半导体学报.
MLA	陈晟,et al."PECVD SiC材料刻蚀技术".半导体学报 (2006).