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题名	PECVD制备a-SiC:H薄膜及激光退火研究; Preparation of a-SiC:H Films by PECVD and Research of Laser Annealing
作者	黄俊
答辩日期	2009 ; 2009
导师	吴正云
关键词	PECVD a-SiC:H薄膜 激光退火 PECVD a-SiC:H films laser annealing
英文摘要	碳化硅(SiC)材料由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、临界击穿电场高、热导率高、介电常数小、化学稳定性好等优良的物理化学性质，成为制备高温、高频、大功率及抗辐照的半导体器件的优选材料。本文介绍了碳化硅薄膜的制备方法、实验测量及激光退火研究。本文首先利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法在P型Si(100)衬底上生长氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜，制备的薄膜表面均匀平整，结构致密，且与衬底粘附性好。通过改变PECVD的淀积温度和射频功率这两个参数，来分析不同工艺条件对a-SiC:H薄膜的影响。研究表明提高淀积温度，可使薄膜生长速率降低，折射率增大，结晶度提高，氢含...; Silicon carbide (SiC) has become a good choice of high-temperature, high-frequency, high-power and anti-radiation material due to its excellent physical and chemical properties such as wide band gap, high electron saturation drift velocity, high electron mobility, high breakdown electric field, high thermal conductivity, small dielectric constant and excellent chemical stability. This paper descri...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：19820061151785
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=22954
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55195]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	黄俊. PECVD制备a-SiC:H薄膜及激光退火研究, Preparation of a-SiC:H Films by PECVD and Research of Laser Annealing[D]. 2009, 2009.

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