| PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响 | |
| 于方丽; 白宇; 秦毅; 岳冬; 罗才军; 杨建锋 | |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 2013 | |
| 期号 | [db:dc_citation_issue]页码:201-206 |
| 关键词 | 基底温度 等离子体增强化学气相沉积 非晶态薄膜 生长速度 碳化硅 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| DOI | [db:dc_identifier_doi] |
| URL标识 | 查看原文 |
| WOS记录号 | [db:dc_identifier_wosid] |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4432668 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于方丽,白宇,秦毅,等. PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响[J]. 无机材料学报,2013([db:dc_citation_issue]):201-206. |
| APA | 于方丽,白宇,秦毅,岳冬,罗才军,&杨建锋.(2013).PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响.无机材料学报([db:dc_citation_issue]),201-206. |
| MLA | 于方丽,et al."PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响".无机材料学报 .[db:dc_citation_issue](2013):201-206. |
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