|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 席善学
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/07/15
|
| 60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 武大猷
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2016/09/27
|
| 60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者: 武大猷
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/27
|
| 电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
作者: 刘远; 陈海波; 何玉娟; 王信; 岳龙
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2015/06/26
|
| 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者: 刘刚 ; 刘梦新; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/04/01 |
| 多次可编程半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2012-09-05,
作者: 钟汇才; 梁擎擎; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/13 |
| 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 专利
专利号: CN200810116043.0, 申请日期: 2012-03-21, 公开日期: 2010-01-06
作者: 韩郑生; 毕津顺; 宋文斌
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916779A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏 | 浏览/下载：133/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 专利
专利号: CN200710179354.7, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2009-06-17
作者: 赵超荣; 刘梦新; 韩郑生; 刘刚
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101789435A, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2010-07-28
程新红; 何大伟; 俞跃辉; 肖德元; 王中健; 徐大朋
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/06 |
