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	一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法
	程新红 ; 何大伟 ; 俞跃辉 ; 肖德元 ; 王中健 ; 徐大朋
	2010-07-28
专利国别	中国
专利号	CN101789435A
专利类型	发明
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司
中文摘要	本发明公开了一种基于垂直栅SOI??CMOS器件的超结结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的栅区、源区、沟道区、漂移区、漏区，所述栅区与埋氧层垂直并直接接触，沟道区和漏区之间设有pn柱区上下排列的漂移区，且漂移区中居于下方的柱区与漏区掺杂类型一致。本发明在垂直栅SOI??CMOS器件的基础上，将单一掺杂类型的漂移区改造成pn柱区交错的漂移区，尽可能使得漂移区在达到击穿电压时全耗尽，各处电场分布得到优化，电场峰值在漂移区、漂移区与沟道区交界处、漂移区与漏区交界处降低并平坦化，在继承
是否PCT专利	是
公开日期	2010-07-28
申请日期	2009-12-24
语种	中文
专利申请号	200910200718.4
专利代理	余明伟 ; 尹丽云
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49366]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式 GB/T 7714	程新红,何大伟,俞跃辉,等. 一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法. CN101789435A. 2010-07-28.

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