| 多次可编程半导体器件及其制造方法 | |
| 钟汇才; 梁擎擎; 朱慧珑 | |
| 2012-09-05 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了多次可编程半导体器件，包括：多个鳍形结构，位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向延伸分布，包括衬底注入区、埋氧层、顶层；沟道区，位于多个鳍形结构的顶层中；源漏区，位于多个鳍形结构的顶层中沟道区两端；栅极绝缘层，位于沟道区的顶部以及侧部，沿平行于衬底表面的第二方向延伸分布；浮栅，位于多个鳍形结构的第二方向上的两侧；编程/擦除栅，由衬底注入区构成，位于埋氧层下方。依照本发明的多次可编程半导体器件及其制造方法，利用衬底注入区来形成FinFET的编程/擦除栅，简化了器件结构，并缩减了制造工序，提高了器件的集成密度，适用于多次可编程存储器。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16653]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟汇才,梁擎擎,朱慧珑. 多次可编程半导体器件及其制造方法. 2012-09-05. |
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