本发明公开了一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法，包括： 选用P<100>SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench腐蚀；进 行第二次Trench腐蚀形成源引出端和体引出端的隔离，在沟槽下方与BOX 层之间留出空间，为侧向体接触保留体引出通道；全部剥离SiN，生长SiO₂ 掩蔽膜，刻蚀该SiO₂掩蔽膜，形成两个局部埋氧层的注入窗口；进行局部 埋氧层注入，形成源漏下方局部埋氧层；光刻形成有源区，两次调栅注入 后通过牺牲氧化控制硅膜厚度，生长栅氧，淀积多晶硅，光刻多晶硅栅， LDD注入，侧墙隔离，源漏端注入形成漏端和源端，体引出端注入，源漏 金属硅化物，淀积PMD和平坦化；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形 成压焊点层，合金，并进行背面处理。