一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构

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	一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构
	刘刚; 刘梦新; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
	2014-10-22
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110007880.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构，属于半导体器件领域。所述射频LDMOS晶体管结构包括背栅金属层、底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、正栅氧化层、正栅多晶硅层，侧墙区、源区、漏区、P阱区、N阱区、N漂移区、硅化物层、隔离氧化物区、部分隔离氧化物区和体接触区。本发明将LDMOS晶体管制作于SOI衬底之上，利用部分隔离氧化物区在硅化过程中掩蔽漂移区上的硅化物，并可形成类RESURF结构，可显著提高LDMOS击穿电压，降低器件关断时的漏电及开启时的导通电阻；同时利用部分隔离氧化物区和与N阱区同型的重掺杂区域形成低势垒体接触区，可提高体引出效率，并且不受器件宽长比限制。
公开日期	2012-07-18
申请日期	2011-01-14
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14603]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘刚,刘梦新,毕津顺,等. 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构. CN201110007880.1. 2014-10-22.