| 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构 | |
| 程新红 ; 何大伟 ; 王中健 ; 徐大伟 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 | |
| 2010-12-15 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101916779A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，该结构包括底层硅膜，导电层，埋氧层，有源区，沟槽隔离结构，电极；底层硅膜位于该结构的最底层；导电层位于底层硅膜的上表面，包括电荷引导层和生长于电荷引导层的上、下表面的阻挡层；埋氧层位于导电层的上表面；有源区包括源区、沟道区、漏区、漂移区、位于沟道区上表面的栅区、位于栅区与沟道区之间的栅氧化层；漂移区由交替排布的n型柱区和p型柱区构成；沟槽隔离结构位于有源区周围；电极包括源极、栅极、漏极、从导电层引出的导电极。本发明可以将积聚在埋氧层下界 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-15 |
| 申请日期 | 2010-07-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010231661.7 |
| 专利代理 | 王松 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49254]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,何大伟,王中健,等. 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构. CN101916779A. 2010-12-15. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论