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Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure 外文期刊
2010
作者:  Jin, Z;  Liu, XY;  Wu, Dx;  Zhou, L;  Chang, HD
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/26
一种ft为176GHz、大电流多指结构的InGaAs／InP异质结双极晶体管 期刊论文
红外与毫米波学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 4，81-84
作者:  刘新宇;  程伟;  齐鸣;  徐安怀;  金智
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/06/01
Inp  
截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 4，1898-1901
作者:  金智;  程伟;  刘新宇;  徐安怀;  齐鸣
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/27
一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 5，1799-1803
作者:  葛霁;  金智;  刘新宇;  程伟;  王显泰
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/27
f=210GHz的超高速InP／InGaAs单异质结晶体管 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 4，414-417
作者:  程伟;  金智;  刘新宇;  于进勇;  徐安怀
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/27
基极微空气桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs HBT 期刊论文
半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 4,154_158
作者:  王润梅;  于进勇;  苏树兵;  刘新宇;  齐鸣
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26
Inp  
含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4,943_946
作者:  程伟;  金智;  于进勇;  刘新宇
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26
截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 4,1864_1867
作者:  徐静波;  刘亮;  张海英;  尹军舰;  刘训春
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26
一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 6,1706_1711
作者:  刘训春;  刘亮;  张海英;  尹军舰;  李潇
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/05/26
带有复合掺杂层集电区的InP／InGaAs／InP DHBT直流特性分析 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1431-1435
作者:  孙浩;  钱鹤;  刘训春;  刘新宇;  苏树兵
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26

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