带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析 | |
孙浩; 钱鹤; 刘训春; 刘新宇![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2006 | |
卷号 | 27期号:8页码:1431-1435 |
关键词 | Inp/ingaas 异质结双极晶体管 复合集电区 掺杂 势垒尖峰 |
ISSN号 | 0253-4177 |
产权排序 | 4 |
英文摘要 | 设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n^+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n^+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n^+-InP插入层掺杂浓度为3×10^19cm^-1、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1376] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙浩,钱鹤,刘训春,等. 带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析[J]. 半导体学报,2006,27(8):1431-1435. |
APA | 孙浩.,钱鹤.,刘训春.,刘新宇.,苏树兵.,...&齐鸣.(2006).带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析.半导体学报,27(8),1431-1435. |
MLA | 孙浩,et al."带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析".半导体学报 27.8(2006):1431-1435. |
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