设计了一种新结构InP／InGaAs／InP双异质结双极晶体管（DHBT），在集电区与基区之间插入n^＋-InP层，以降低集电结的导带势垒尖峰，克服电流阻挡效应．采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型，计算了n^＋-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP／InGaAs／InP DHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响．结果表明，当n^＋-InP插入层掺杂浓度为3×10^19cm^-1、厚度为3nm时，可以获得较好的器件特性．采用气态源分子束外延（GSMBE）技术成功地生长出InP／InGaAs／InP DHBT结构材料，器件研制结果表明，所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰，显著改善器件的输出特性。