一种ft为176GHz、大电流多指结构的InGaAs／InP异质结双极晶体管

	一种ft为176GHz、大电流多指结构的InGaAs／InP异质结双极晶体管
	刘新宇; 程伟; 齐鸣; 徐安怀; 金智
刊名	红外与毫米波学报
	2009
卷号	28 期号:2 页码:4，81-84
关键词	Inp
ISSN号	1001-9014
英文摘要	针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求，利用平坦化技术，设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs／InP异质结双极晶体管．实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm．Kirk电流可达到110mA，电流增益截止频率达到176GHz．这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用．
语种	中文
公开日期	2010-06-01
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/2208]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘新宇,程伟,齐鸣,等. 一种ft为176GHz、大电流多指结构的InGaAs／InP异质结双极晶体管[J]. 红外与毫米波学报,2009,28(2):4，81-84.
APA	刘新宇,程伟,齐鸣,徐安怀,&金智.(2009).一种ft为176GHz、大电流多指结构的InGaAs／InP异质结双极晶体管.红外与毫米波学报,28(2),4，81-84.
MLA	刘新宇,et al."一种ft为176GHz、大电流多指结构的InGaAs／InP异质结双极晶体管".红外与毫米波学报 28.2(2009):4，81-84.