截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管

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	截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管
	金智; 程伟; 刘新宇; 徐安怀; 齐鸣
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:10 页码:4，1898-1901
关键词	Inp 异质结构双极晶体管平坦化高频
ISSN号	0253-4177
英文摘要	研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管（HBT）.发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz.发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺,有效减小了结面积,提高了最大振荡频率.Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2.据我们所知,电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的,Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的.这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有十分重要的意义.
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1830]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	金智,程伟,刘新宇,等. 截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管[J]. 半导体学报,2008,29(10):4，1898-1901.
APA	金智,程伟,刘新宇,徐安怀,&齐鸣.(2008).截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管.半导体学报,29(10),4，1898-1901.
MLA	金智,et al."截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管".半导体学报 29.10(2008):4，1898-1901.