截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管 | |
金智![]() ![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2008 | |
卷号 | 29期号:10页码:4,1898-1901 |
关键词 | Inp 异质结构双极晶体管 平坦化 高频 |
ISSN号 | 0253-4177 |
英文摘要 | 研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT).发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz.发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺,有效减小了结面积,提高了最大振荡频率.Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2.据我们所知,电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的,Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的.这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有十分重要的意义. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1830] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 金智,程伟,刘新宇,等. 截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管[J]. 半导体学报,2008,29(10):4,1898-1901. |
APA | 金智,程伟,刘新宇,徐安怀,&齐鸣.(2008).截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管.半导体学报,29(10),4,1898-1901. |
MLA | 金智,et al."截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管".半导体学报 29.10(2008):4,1898-1901. |
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