一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法

	一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法
	刘训春; 刘亮; 张海英; 尹军舰; 李潇; 徐静波; 宋雨竹
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:11 页码:6,1706_1711
关键词	Inp ingaas／Inp 复合沟道高电子迁移率晶体模拟
ISSN号	0253-4177
产权排序	1
英文摘要	采用一种新方法对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟．该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解，得到了沟道内的电子密度分布．与一些传统方法相比，该方法收敛性更好，速度更快，且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟．利用仿真对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1612]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘训春,刘亮,张海英,等. 一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法[J]. 半导体学报,2007,28(11):6,1706_1711.
APA	刘训春.,刘亮.,张海英.,尹军舰.,李潇.,...&宋雨竹.(2007).一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法.半导体学报,28(11),6,1706_1711.
MLA	刘训春,et al."一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法".半导体学报 28.11(2007):6,1706_1711.